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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
9.3
18.5
写入速度,GB/s
5.9
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3593
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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