RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
47
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
39
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3177
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link