RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
104
Autour de -215% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2553
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP512U64EP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link