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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3090
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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