RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3090
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link