RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
47
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
2438
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link