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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
47
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
47
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
1304
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
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