RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
1304
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link