RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
3693
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link