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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
41
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
2240
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
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