RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
41
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
32
Velocità di lettura, GB/s
13.3
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
2240
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link