RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
40
Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3038
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link