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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
40
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3038
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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