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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
40
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3597
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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