RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3597
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link