RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
40
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2635
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link