RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2635
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link