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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3462
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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