RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
40
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3462
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link