RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
40
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3589
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link