Comparaison de la RAM Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Note globale

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

25 52

Autour de 52% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.9 10.1

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.5 18.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

3236 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns