Confronto tra le RAM Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Punteggio complessivo

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 52

Intorno 52% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.9 10.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 18.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 10600

Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3236 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns