RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
40
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3596
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link