RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
76
Autour de 47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
76
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
1624
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link