RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
40
Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2702
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link