RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
40
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2702
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link