Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 40

Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.6 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 25
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 15.6
Скорость записи, Гб/сек

8.9 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 2702

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB

Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB

Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 99U5712-009.A00G 16GB

Kingston 99U5712-009.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

модули RAM