RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
40
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2797
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link