RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
40
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
9.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2797
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link