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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
40
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2706
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G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
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