RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
68
Autour de -143% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
2919
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link