RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2919
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link