RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
39
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
39
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2443
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link