RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2443
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link