RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
49
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
17
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3714
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link