RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
77
Wokół strony -353% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3714
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link