RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
77
Около -353% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
17
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
21.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3714
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link