RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3572
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link