RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3572
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link