RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3572
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link