RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
40
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2638
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB Comparaison des RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link