Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

Причины выбрать
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 40

Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.1 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.1 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 24
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 15.1
Скорость записи, Гб/сек

8.9 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 2638

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Kingston 9905663-008.A00G 16GB

Kingston 9905663-008.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston KP6FH5-MIE 32GB

Kingston KP6FH5-MIE 32GB

модули RAM

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB

Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

модули RAM