RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
63
Около -174% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
3317
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link