RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Compara
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
63
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
1,583.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,895.6
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,583.7
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
639
3317
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Mushkin 996902 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link