RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
63
Por volta de -174% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,583.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,895.6
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,583.7
15.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
639
3317
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link