RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
3317
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link