Porównanie pamięci RAM SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Wynik ogólny

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

23 63

Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.0 1,583.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 5300

Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

639 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns