RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
43
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3665
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link