RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
54
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,131.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
18
Prędkość odczytu, GB/s
2,710.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,131.7
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3814
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 991556 (996556) 2GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link