RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3036
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link