RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3645
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link