RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3645
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link