RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2436
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link